半绝缘碳化硅衬底领域天岳先进已经连续三年市占率位列全球前三

　　导读：3月31日晚间，第三代半导体衬底材料生产商天岳先进发布2021年度报告，报告期内公司实现营业收入44.94亿元，同比增长16.25%，归属于上市公司股东的净利润...

3月31日晚间，第三代半导体衬底材料生产商天岳先进发布2021年度报告，报告期内公司实现营业收入44.94亿元，同比增长16.25%，归属于上市公司股东的净利润8995.15万元，相较上年同期扭亏为盈。

根据消息显示，目前90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的，在行业内被统称为第一代半导体，而第三代半导体材料以碳化硅，氮化镓为代表，具备诸多更有优势的物理属性，更适用于高温度，高电压，高频率的场景。报告期内，公司资产负债率分别为1030%，677%，157%，同行业可比上市公司资产负债率均值分别为337%，448%，429%。。

天岳先进于今年1月12日在科创板上市，其主营业务是第三代半导体碳化硅衬底材料，属于第三代半导体的上游，为终端射频或功率器件提供原材料，该公司的产品主要用于微波电子，电力电子等领域行业知名机构Yole报告显示，在半绝缘碳化硅衬底领域，天岳先进已经连续三年市占率位列全球前三

研发投入方面，2021年，天岳先进研发费用7373.61万元，占营业收入的14.93%，研发费用同比增加62.05%，公司及下属子公司合计新申请发明专利和实用新型专利共89项，其中发明专利37项，实用新型52项，覆盖了粉料制备，晶体生长，长晶设备，冷却系统，清洗装置以及籽晶，衬底，晶体等产品天岳先进表示，依托项目B，8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目等研发项目，公司在加快研发大尺寸碳化硅衬底以及提升导电型衬底关键指标等方面获得突破性进展

天岳先进介绍，2021年，得益于公司所处行业景气度较高，公司产品市场影响力持续增加，公司正加快提升导电型衬底产能建设2021年公司募投项目碳化硅半导体材料项目在上海临港正式开工建设，项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，满足下游电动汽车，新能源并网，智能电网，储能，开关电源等碳化硅电力电子器件应用领域的广泛需求本项目预计2022年三季度实现一期项目投产，并计划于2026年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年

公司将智慧工厂纳入实现未来发展战略的实施路径由于碳化硅半导体材料生长温度高，影响因素多，既是多因多果，又是离散型生产，技术迭代周期相对较长公司计划采用AI技术，数字孪生技术，打造出数字化工厂，利用公司积累的海量数据，在数字工厂进行工艺技术模拟，将模拟成果在实体工厂进行验证，实体工厂积累的数据再反馈给数字工厂，达到数字工厂，实体工厂联动，大幅度压缩技术迭代，极大地提高研发速度此次公司的募投项目在上海临港落地，有望成为智慧工厂的试验田，令公司的碳化硅衬底材料提质增产，成为赶超国际标杆企业的重要抓手，并立志将其打造成国际一流的智慧工厂示范项目天岳先进在年度报告中表示

此外，由于2021年度归属于母公司股东的净利润为及扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润均为正，符合上市时未盈利企业首次实现盈利的情形，天岳先进3月31日发布公告称，公司A股股票简称将于2022年4月6日取消特别标识，由天岳先进—U变更为天岳先进，A股股票代码688234保持不变。

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